一、基本条件

1. 届别：2024届、2025届全日制硕士毕业生，电子、微电子、物理、材料、化学、光学等理工科相关专业。

3. 年龄限制：硕士≤27周岁（特别优秀者可放宽至30周岁）。

4. 性别：不限。

二、培养方式

1. 双轨制培养：

  • 导师制：由资深工程师担任导师，指导科研项目与职业规划，参与第三代半导体（GaN/SiC）器件设计等前沿课题。

  • 轮岗实践：覆盖器件设计、工艺开发、测试验证等环节，积累全流程经验，如光刻、蚀刻、封装测试等。

2. 系统化培训：

  • 包含EDA工具（如Sentaurus TCAD、Cadence）、半导体物理、可靠性分析等课程，提供高校联合培养机会（如参与科研课题）。

  • 定期组织技术沙龙、国际会议参与机会，强化技术交流能力。

三、学习形式

1. 线上+线下结合：

  • 线上学习平台：企业内部知识库、行业专家讲座（如半导体材料表征、先进封装技术）。

  • 线下实践：参与流片实验、封装测试、产线异常处理等真实项目，适应无尘室工作环境及白夜班轮岗。

2. 学术交流：

  • 提供国际会议参与机会（如IEEE国际电子器件会议），鼓励发表论文及申请专利。

四、经验要求

• 应届生为主：接受无工作经验者，但需具备：

  ◦ 课程设计、科研项目经历（半导体器件下线流片经验），优先考虑获得校级奖学金或学科竞赛奖项者。

  ◦ 有晶圆厂实习、专利/论文发表经历者可破格录用。

五、学业水平

1. 学历要求：

  • 硕士：半导体物理、材料化学、微电子学与固体电子等方向，GPA≥3.0/4.0。

2. 知识储备：

  • 熟悉半导体器件原理（如MOSFET、IGBT、GaN HEMT），掌握VLSI设计、版图绘制（如L-Edit）及测试技术（如CV、LoadPull）。

  • 具备英语文献阅读能力（CET-6及以上），能独立撰写技术报告。

六、特殊技能

1. 软件能力：

  • 熟练使用仿真工具（Sentaurus、TCAD）、办公软件（Excel宏/VBA、PPT）。

  • 熟悉脚本语言（Perl/Shell）及Linux操作系统。

七、其他要求

• 综合素质：

  ◦ 逻辑思维清晰，具备问题分析与解决能力，团队协作意识强。

  ◦ 认同半导体行业长期发展，愿意深耕技术研发岗位。

• 职业规划：

  ◦ 优先考虑有志于参与国家重大科研项目（第三代半导体研发)）或车规级芯片研发者。

1. 功率器件设计与研发

  • 负责宽禁带功率器件（GaN/SiC/IGBT/MOSFET）的芯片结构设计、工艺集成及仿真验证，主导器件电学特性（如击穿电压、导通损耗）与热性能优化。

  • 开发新工艺平台（如垂直结构GaN、先进封装技术），推动技术迭代并完成流片实验方案设计。

2. 工艺开发与良率提升

  • 与国内外晶圆代工厂合作及封装厂对接，制定工艺流程（如光刻、蚀刻）和测试程序，解决量产中的工艺异常问题。

  • 通过DOE实验设计优化关键参数（如阈值电压、阈值均匀性），提升芯片良率并降低制造成本。

3. 可靠性评估与失效分析

  • 主导器件可靠性测试（如HAST、TDDB），分析失效模式（如电迁移、热击穿），提出结构改进方案。

  • 编写失效分析报告并推动设计端优化，确保产品符合AEC-Q101等车规标准。

4. 应用支持与技术协同

  • 与FAE团队合作，完成器件在电源、电机驱动、新能源汽车等场景的整机应用测试，制定应用解决方案（如热管理设计）。

  • 收集客户反馈，优化产品规格书并参与技术培训，提升市场适配性。

5. 知识产权与技术沉淀

  • 编写专利（含器件结构、工艺方法）及技术论文，跟踪竞品动态（如国际大厂技术路线），推动技术壁垒构建。

  • 参与政府项目申报，输出技术白皮书及行业标准。

6. 跨部门协作与体系完善

  • 配合质量团队建立可靠性管理体系（如SPC、FMEA），推动工艺标准化与流程优化。

  • 协调研发、生产、市场部门，确保项目按时交付并达成性能/成本目标。